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　　答：2025年公司实现营业收入115,523.17万元，较上年同期增加31.94%。从收入结构看，OLED用掩膜版、G8.6以及G11等高附加值掩膜版的增速明显，带动平板显示掩膜版的整体增长；公司的第二成长曲线半导体掩膜版发展前景广阔，尤其是IC制造掩膜版的表现亮眼。随着新增投资项目产能的陆续释放，公司期待在未来可以实现双轮驱动发展。规模效应释放与产品结构持续优化，同时公司持续强化运营管理，盈利能力得以加强。公司实现归属于上市公司股东的净利润25,198.43万元，较上年同期增加32.02%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润23,031.38万元，较上年同期增加32.58%。

　　答：公司投资建设的路芯半导体掩膜版项目进展顺利，制程节点布局居于国内厂商前列。该项目一期产品覆盖130-40nm制程节点半导体掩膜版，2025年已逐步实现产品量产，实现90nm及以上成套掩膜版客户端验证通过并供货，40nm和28nm单片掩膜版客户端验证通过并供货，并持续推进40nm成套掩膜版客户端送样工作；二期布局至14nm半导体掩膜版，计划于2026年陆续投建。未来伴随项目的顺利投产，其产品将逐步覆盖MCU（微控制芯片），SiPh（硅光子）、CIS（互补金属氧化物半导体图像传感器），BCD（双极-互补-双扩散-金属氧化物半场效应管），DDIC（显示驱动芯片），MS/RF（混合射频信号），Embd.NVM（嵌入式非易失存储器），NOR/NANDFlash（非易失闪存），DRAM（动态随机存取存储器）等半导体制造相关行业，进一步完善产业链供给、推动国产替代进程。

　　答：厦门路维总投资额为人民币20亿元，计划建设11条高端光掩膜版产线及以下各类高精度光掩膜版，项目已于2025年7月完成奠基仪式，2026年1月封顶。项目分阶段实施，其中一期计划总投资额13亿元，将建设5条G8.6及以下AMOLED高精度掩膜版产线台（套）精密辅助设备。目前，一期项目设备已开始有序采购，预计2026年设备将陆续到厂并进行安装调试、投入生产。该项目投产后，公司产能将显著提升，能够更充分地满足下游客户需求，助力公司持续提升在客户供应链中的份额，加速推进国产化替代进程，进一步推动平板显示掩膜版国产化率提升。

　　答：在半导体掩膜版领域，伴随制程节点的不断推进，单套掩膜版的价值量不断提升。随着工艺节点的缩小，每套光掩膜的数量增加，而关键层次的增值提高了每片光掩膜的单价。当特征尺寸在几百纳米制程节点时，每套掩膜版单价约为数万美元；当特征尺寸到40纳米制程节点，每套掩膜版单价约为数十万美元；当特征尺寸到28纳米制程节点，每套掩膜版单价约为100万美元；当特征尺寸到7纳米制程节点，仅使用少量EUV层时，每套掩膜版单价上升到约600万美元，预计最先进的2纳米制程节点每套掩膜版单价为1,000万至2,000万美元。具体价格根据下游客户定制化需求略有差异。

　　答：随着先进制程演进对芯片性能提升的边际递减趋势，高性能芯片发展面临存储墙、光罩墙、功耗墙等挑战，先进封装被视为高性能芯片发展的必备环节。在AI、高端通信电子产品等市场需求驱动下，先进封装发展领先于传统封装。先进封装从技术发展到市场规模快速壮大,将带动封装材料、设备和测试设备环节的景气度提升。在传统封装工艺中,单套封装项目所需掩膜版数量通常在2-3张,而先进封装所需数量会提升至5-10张。根据YOLE(全球知名市场研究机构)数据,2025年全球先进封装市场规模达到569亿美元,占封装市场规模的50%。公司是国内先进封装掩膜版龙头供应商,先进封装对掩膜版提出更严苛的技术要求,包括更小的线路图形、更大的掩膜尺寸面积、更高的套刻精度、更均匀的CD精度等。公司依托多年在掩膜版领域的研究、生产经验,融合传统小尺寸IC掩膜版高精细特性与大尺寸显示掩膜版的成熟生产经验,可以满足国内CoWoS等各类新型先进封装的技术要求。公司已是某三维多芯片集成(2.5D/3D)、通富微电002156）(先进封装)、华天科技002185）(先进封装)、奥特斯(高端载板)、鹏鼎控股002938）(高端PCB板厂)等国内多个头部封装、载板、PCB板厂的主要供应商。随着各类新型封装技术的不断突破,相应掩膜版市场空间有望持续扩大。

　　答：存储制程的微缩与3D堆叠直接推高了掩膜版的技术门槛与价值。以3D NAND为例，其层数增加本质是存储单元在垂直方向的堆叠增加，技术上主要通过重复性的薄膜沉积与高深宽比刻蚀实现，随着堆叠层数提升，通孔（channel hole）、阶梯结构（staircase）及字线切割等关键结构的加工难度大幅提升,对光刻精度、套刻控制、多重曝光及OPC复杂度提出更高要求,从而推动关键层掩膜版技术门槛与单价水平上升。此外,3D NAND产品代际迭代速度加快(如128L、176L、232L持续演进),每一代新产品均需重新开发整套掩膜版,形成换代驱动的持续需求来源。相较之下,DRAM的工艺演进路径以线宽缩小与结构复杂化为主,从DDR4向DDR5乃至HBM升级过程中,光刻层数及关键层数量均呈现更为直接的增加趋势,同时EUV等先进光刻技术的导入显著提升单张掩膜版的制造难度与价值量,使得掩膜版需求不仅体现为用量增长,更体现为价格中枢的上移。进一步来看,AI驱动的数据中心需求显著提升单位服务器对DRAM及NAND的用量(如高带宽存储需求放大),通过提升晶圆开工率间接放大掩膜版消耗,形成需求的“放大器”。从价格形成机制看,掩膜版单价主要由技术节点与关键层复杂度决定,NAND由于结构重复性较强,其价格提升相对温和,而DRAM在先进制程及EUV导入背景下价格弹性更为显著。国产存储厂商的技术突破与规模化量产,为国产掩膜版企业提供了稀缺且至关重要的验证平台与增量市场,成为推动掩膜版国产替代的关键驱动力。一方面,以长江存储和长鑫存储为代表的本土厂商,在先进工艺持续推进过程中,对掩膜版在分辨率、套刻精度、缺陷控制及稳定性等方面提出了国际性的要求,使得国产掩膜版厂商能够在真实量产环境中完成从研发验证到工程化应用的能力跃迁,实现技术水平与产品可靠性的双重验证;另一方面,存储芯片作为掩膜版需求规模最大、工艺最复杂的应用领域之一,其本土化供应链的逐步建立,为国产掩膜版企业带来了持续、稳定且具备规模效应的订单,进而形成正向循环。综合来看,国产存储的崛起不仅在“量”的层面扩大了掩膜版市场空间,更在“质”的层面推动了国产掩膜版技术能力的跃升与应用边界的拓展,成为加速掩膜版在存储芯片这一核心应用领域实现国产替代的关键驱动力。

　　答：2025年光电共封装（CPO，Co-Packaged Optics）技术进入规模化商用初期，受益于AI算力中心数据传输需求爆发，行业实现指数级增长，迅速成为半导体与光通信融合的核心赛道。从技术本质来看，CPO并非单一器件创新，而是将交换芯片（Switch ASIC）、硅光引擎（SiPh）以及高速封装（2.5D/3D集成）集成于同一系统，这种高度集成的特性，使其对掩膜版需求的影响具有明显的结构性特征。首先,与传统光模块相比,硅光芯片需要在硅基衬底上同时实现光波导、调制器、探测器及耦合结构,其制造依赖于多层光刻工艺(通常20–40层甚至更高),对应新增一整套掩膜版需求。随着AI算力网络对高速互连(如800G/1.6T)的需求爆发,CPO渗透率提升将带来硅光芯片出货量的快速增长,从而形成掩膜版“新增品类+新增用量”的直接拉动。其次,在工艺复杂度与价值量提升方面,CPO相关芯片显著提高了关键光刻层的技术门槛。一方面,硅光器件对线宽控制、边壁粗糙度及对准精度极为敏感,波导、光栅耦合器等结构对掩膜版精度与缺陷控制提出更高要求,推动OPC复杂度与掩膜版制造难度上升;另一方面,配套的交换芯片(通常采用5nm及以下先进制程)本身即对应高层数、高价值掩膜版需求。此外,CPO系统中涉及的先进封装(如硅中介层interposer、再布线层RDL等)同样需要多层光刻工艺支持,进一步增加掩膜版用量与技术复杂度。从需求结构变化看,CPO带来的并非简单的量增,而是高端掩膜版占比提升。相较于传统通信或消费电子应用,CPO集中于数据中心和AI算力基础设施,对产品性能与良率要求更高,使得先进节点逻辑掩膜版、硅光关键层掩膜版以及先进封装掩膜版的价值量显著高于行业平均水平,从而抬升整体市场价格中枢。此外,CPO采用的2.5D/3D封装技术,需要掩膜版来加工中介层、进行高密度再布线(RDL)和制造微凸块。这要求掩膜版能处理更大的版面尺寸以适应封装基板,并具备处理高深宽比结构(如TSV/微孔)图形的能力,对准精度要求也从芯片级提升至系统级。最后,从产业链协同与国产替代角度看,CPO的发展为本土掩膜版企业提供了新的切入领域。硅光作为相对新兴方向,全球供应链格局尚未完全固化,本土厂商在与国内晶圆厂及封测厂协同开发过程中,有机会在部分非EUV关键层及封装环节实现率先导入,从而在新增市场中获得验证与份额积累,形成区别于传统逻辑/存储领域的差异化增长路径。